Niechłodzone detektory fotonowe z (Hg,Cd)Te promieniowania 10,6 µm

Noncooled (Hg,Cd)Te IR photo detectors in range of 10.6 μm wavelength

  • Tadeusz Niedziela Uniwersytet Technologiczno-Humanistyczny w Radomiu, Wydział Transportu i Elektrotechniki
Keywords: photon detectors, high-temperature infrared detectors

Abstract

W artykule dokonano analizy niechłodzonych (T=300K) fotodiod (PC) i detektorów magnetoekskluzyjnch (EMCD) promieniowania 10,6 µm. Obliczenia wykazały, że optymalne parametry fotodiod takie jak grubość czy domieszkowanie dla struktury na podłożu z poszerzoną przerwą energetyczną są inne niż dla konstrukcji z kontaktami omowymi na obu jej końcach. Ustalono optymalne parametry detekcyjne elementów dla fotodiod i detektorów magnetoekskluzyjnych z (Hg,Cd)Te   pracujących w temperaturze pokojowej.

References

1. Niedziela T.: Detektory fotonowe w warunkach pracy równowagowej, Autobusy, Efektywność transportu, 12, 2016, s. 708- 713.
2. Niedziela T.: Detektory fotonowe w warunkach pracy nierówno-wagowej, Autobusy, Efektywność transportu, 12, 2017, s. 611- 615.
3. Niedziela T.: (Hg,Zn)Te photon detectors of thermal radiation, Electrical Review, nr. 7, 2014, s. 48-54.
4. Niedziela T.: Graniczne parametry detekcyjne detektorów fotonowych z (Hg,Zn)Te, Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej, Transport, z. 92, 2013, s. 123-143,.
5. Niedziela T.: Near-room temperature narrow-bandgap infrared photon detectors. Research Works of Air Force Institute of Technology, Warsaw, 1996, s.1-300.
6. White A.M., The characteristics of minority-carrier exclusion in narrow direct gap semiconductors, Infrared Phys., 25, 1985, s. 729-741.
7. Ashley T., Elliott C. T. and White A. M.: Non-equilibrium devices for infrared detection," SPIE 572, Infrared Technology XI, 1985, s. 123-132.
8. Ashly T., Elliott C.T., Harker A.T.: Non-equilibrium mode of operation for infrared detectors, Infrared Phys., 26, 1986, s. 303-315.
9. White A.M.: Negative resistance with Auger suppresion in near-intrisic low-band gap photo-diode structure, Infrared Phys., 27, 1987, s. 361-369.
10. Ashly T., Elliott C.T.: Operation and properties of narrow-gap semiconductor devices near room temperature using non-equilibrium techniques, Semicond. Sci. Technol., 8, 1991, s. 199199-105.
11. Davis A.P., Elliott C.T., White A.M.: Current gain photodiode structures, Infrared Phys., 31, 1991, s. 575-577.
12. Niedziela T., Ciupa R., Piotrowski J.: (Cd,Hg)Te 10.6um, radiation magnetoexclusion detectors operating at near-room temperatures. Journal of Technical Physics, 40, 4, 1999, s. 505-514.
13. Niedziela T., Ciupa R.,: Photon detectors in nonequilibrium codni-tions. Electron Techology, 32, 4, 1999, s. 373-377.
14. Niedziela T.: Ambient-temperature magneto-exclusion (Cd,Hg)Te detector of 10.6um radiation. Electron Technology, 26, 4, 1993, s. 65-74.
15. Niedziela T., Ciupa R.: Ultimate parameters of Hg1-xCdxTe and InAs1-xSbx n+-p photodiodes. Solid-State Electronics, 45, 2001, s. 41-46.
16. Niedziela T., Ciupa R.: Optimization of parameters of (Hg,Cd)Te n+-p photodiodes for 10.6um spectral region operating at near-room temperatures. Electron Technology, 33, 4, 2000, s. 542-547.
17. Jóźwikowski K., Niedziela T.: High-temperature InAs1-xSbx photo-diodes employing nonequilibrium effects. Electron Technology, 32, 4, 1999, s. 378-383.
18. Piotrowski J.: New ways to improve the performance of near-room temperature photodetectors, Optoelectronics Rev., 1, 1992, s. 9-12.
19. Piotrowski J.: Optical immersion of IR photodetectors as an effective way to reduce cooling requirements, Optica Appl., 23, 1993, s. 85-90.
20. Piotrowski J., Gawron W. and Djuriæ Z.: New generation of near room-temperature photodetectors, 33, 1994, s. 1413-1421.
21. Djuric Z., Piotrowski J., Room temperature IR Detector with electromagnetic carriers depletion. Kongres Optyki, Haga (1991).
Published
2018-12-21
Section
Efektywność transportu/Transport efficiency